| 采用X射線光電子能譜(XPS>分析方法研究NiS/CdS/CDs的化學(xué)價態(tài)和表面化學(xué)組成,，所有XPS圖譜都經(jīng)過校正,。從圖11(a>可以看出，NiS/CdS/CDs中存在NiCdSC元素,，這與元素映射圖(圖8>一致,，而O元素可能來自于空氣中的氧氣。從圖11(b>中可以觀察到Cd3d的兩個特征峰為405.38和412.15eV,，對應(yīng)CdS中Cd一的Cd3d,z和Cd3d,2表明Cd元素以Cd-的形式存在從Ni2p的圖譜可以清楚的看到,，在853.14和872.23eV處的特征峰對應(yīng)于NiS中的Ni2ps_z和Ni2p z，而在862.53和878.02eV處的峰是與主峰相應(yīng)的兩個衛(wèi)星峰叫,。圖11(d>顯示出的結(jié)合能分別位于161.82163.06eV處,，分別與S2pz和S2pz相匹配，表明存在S-,。值得特別注意的是,，Cis可以在284.82285.31286.37和288.87eV處解積為4個子峰，分別對應(yīng)于C-C(sp2)C-CCsp),C()和C=U鍵(圖11(d;zs,。其中出現(xiàn)少量的C-O鍵和C一O鍵,，這可能是二氯乙烷催化劑吸附的空氣與乙炔鍵發(fā)生氧化反應(yīng)所引起的。利用穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜(PI)分析研究了二氯乙烷催化劑的載流子分離能力,。NiS/CdS/CDs與NiS/CdS和原始CdS相比,，NiS/CdS/CDs具有最低的PI輻射強度，這表明由于CDs可以從NiS/CdS捕獲電子,，從而有效地抑制電子一空穴對的復(fù)合,，進一步提高了NiS/CdS/CDs光催化活性,。利用紫外一可見吸收光譜研究NiS/CdS/CDs和NiS/CdS的光學(xué)性質(zhì)。從圖12(a>可以看到,，NiS/CdS在584nm波段處出現(xiàn)明顯的吸收邊緣,，而隨著CDs的引入，NiS/CdS/CDs的吸收邊緣有明顯的紅移,，吸收邊緣從584nm紅移到793nm,。NiS/CdS/CDs的光響應(yīng)能力從而得到明顯的提升，從而證實CDs的修飾可以有效地調(diào)節(jié)NiS/CdS的光響應(yīng)能力,。根據(jù)Kubelka-Munk函數(shù)計算光二氯乙烷催化劑相應(yīng)的帶隙能量,。如圖12(b>所示，當(dāng)NiS/CdS摻雜CDs后,，NiS/CdS的帶隙從2.02eV降低到1.16eV,。而窄帶隙有利于收集更多的太陽能，促使NiS/CdS/CDs產(chǎn)生豐富的光生載流子,，從而大大提高其光催性能,。這與紫外可見吸收光譜結(jié)果一致，共同表明NiS/CdS/CDs具有卓越的光催化制氫氣性能,。http://vnrw.cn |
